S25FL256SDSBHVA10

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25FL256SDSBHVA10
商品编号: C5880835
商品封装: BGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品特性

CMOS 3.0 V 核心，支持多功能 I/O
支持 SPI 及多 I/O 接口
SPI 时钟极性与相位模式 0 和 3
支持 DDR 选项
扩展寻址：24 位或 32 位地址选项
串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
多 I/O 命令集和封装与 S25FL-P SPI 系列兼容
读取命令：支持常规、快速、双路、四路、快速 DDR、双路 DDR、四路 DDR 模式
AutoBoot 功能：上电或复位后，在预选地址自动执行常规或四路读取命令
提供通用闪存接口数据，用于配置信息
编程速率达 1.5 MBps
提供 256 字节或 512 字节页编程缓冲区选项
支持四路输入页编程，适用于低速时钟系统
自动 ECC 内部硬件纠错码生成，可纠正单位错误
擦除速率达 0.5 至 0.65 MBps
混合扇区大小选项：地址空间顶部或底部包含 32 个 4 KB 物理扇区，其余扇区均为 64 KB，以兼容前代 S25FL 器件
统一扇区选项：始终擦除 256 KB 块，以确保与更高密度及未来器件的软件兼容性
循环耐久性：最小 100,000 次编程-擦除周期
数据保持：最小 20 年
安全特性：1024 字节 OTP 阵列
块保护：通过状态寄存器位控制对连续扇区范围进行编程或擦除保护
提供硬件和软件控制选项
高级扇区保护：可通过引导代码或密码控制单个扇区保护
采用 65 nm MIRRORBIT 技术和 Eclipse 架构
核心电源电压：2.7 V 至 3.6 V
I/O 电源电压：1.65 V 至 3.6 V
提供 SO16 和 FBGA 封装
温度范围/等级：工业级 (-40℃ 至 +85℃)、工业增强级 (-40℃ 至 +105℃)、汽车 AEC-Q100 3 级 (-40℃ 至 +85℃)、汽车 AEC-Q100 2 级 (-40℃ 至 +105℃)、汽车 AEC-Q100 1 级 (-40℃ 至 +125℃)
封装（全部无铅）：16 引脚 SOIC (300 mil)、WSON 6×8 mm、BGA-246×8 mm
提供 5×5 焊球 (FAB024) 和 4×6 焊球 (FAC024) 封装选项
提供已知合格芯片和已知测试芯片

数据手册PDF

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