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BSC019N04NS G-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

BSC019N04NS G-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BSC019N04NS G-VB
商品编号
C5878785
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.121497克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)78nC@10V
输入电容(Ciss)4.75nF
反向传输电容(Crss)275pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)610pF

数据手册PDF

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