2SK2414-Z-E1-AZ-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺,具有高性能和稳定的特性,适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK2414-Z-E1-AZ-VB
- 商品编号
- C5878776
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V;85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA;3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
None
商品特性
- Low thermal resistance
- Fast switching speed
- High input impedance
- RoHS compliant
应用领域
- Electronic ballasts
- Electronic transformers
- Switching power supplies
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