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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP6P250N

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
采用创新设计和硅工艺技术,可实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种高效的器件,可用于广泛的电源应用。SOT-23S 封装广泛用于商业工业表面贴装应用,适用于如 DC/DC 转换器等低压应用。
品牌名称
APEC(富鼎)
商品型号
AP6P250N
商品编号
C648834
商品封装
SOT-23S​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V,1.6A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)5nC
输入电容(Ciss)450pF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)37pF

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