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AP3P080N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3P080系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 SOT - 23S封装在商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 支持2.5V栅极驱动
- 封装外形小巧
- 表面贴装器件
- 符合RoHS标准且无卤
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