PMPB16XNEA115
PMPB16XNEA115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB16XNEA115
- 商品编号
- C5829124
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE2392是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。易于驱动且开关时间极快，使该器件非常适合高速开关应用。典型应用包括开关模式电源、不间断电源和电机速度控制。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 镀锡侧焊盘,100%可焊,便于光学焊接检测
应用领域
-便携式设备充电开关-DC-DC转换器-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理