PSMN1R4-40YLD,115-NEX

采用先进的TrenchMOS超结技术，封装为175°C LFPAK56的240A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过了相关认证。

• 240A电流能力
• 雪崩额定值，在IAS = 190A时进行100%测试
• NextPower-S3技术实现“超快速开关与软恢复”
• 低QRR、QG和QGD，适用于高系统效率和低EMI设计
• 肖特基增强型体二极管，实现软开关且无相关的高IDSS泄漏
• 采用NextPower-S3超结技术，针对4.5V栅极驱动进行优化
• 高可靠性LFPAK（Power SO8）封装，铜夹、焊片连接，工作温度可达175°C
• 外露引脚可进行波峰焊，便于目视检查焊点且焊点质量高
• 低寄生电感和电阻

• 同步整流
• DC-DC转换器
• 高性能、高效率服务器电源
• 电机控制
• 电源“或”操作