PSMN041-80YL115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 低开关和传导损耗，效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动
- LFPAK56封装与其他Power-SO8类型引脚兼容
- 可在175°C环境下使用
应用领域
- 直流-直流转换器-负载开关-电视电源