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K4UBE3D4AB-MGCL
32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K4UBE3D4AB-MGCL
- 商品编号
- C5827966
- 商品封装
- FBGA-200
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 570mV~650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 双向数据选通信号（DQS_t、DQS_c），这些信号与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
- 差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）
- 差分数据选通信号（DQS_t 和 DQS_c）
- 命令和地址在 CK 上升沿输入；数据和数据掩码参考 DQS 的两个边沿
- 每个管芯采用 2 通道结构
- 每个通道有 8 个内部存储体
- DMI 引脚：正常读写操作时为 DBI（数据总线反相），DBI 关闭时用于掩码写入的数据掩码（DM）；DBI 开启时用于掩码写入的 DQ 的 1 的计数
- 突发长度：16、32（OTF）
- 突发类型：顺序
- 读写延迟：参考表 13.4 交流时序
- 每次突发访问的自动预充电选项
- 可配置驱动强度
- 刷新和自刷新模式
- 部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
- 写均衡
- CA 校准
- 内部 VREF 和 VREF 训练
- K4T1G164QJ-BCE7
- K4T1G084QJ-BCE7
- K4F6E3S4HM-MGCJT
- NMP1K2-#HHHHE-11
- NMP1K2-CHC#HH-05
- NMP1K2-CHCCC#-08
- NMP1K2-#HHHHH-03
- NMP1K2-CHCCCC-00
- NMP1K2-#HHHHK-08
- NMP1K2-CHCCCC-04
- NMP1K2-#HHKEE-02
- NMP1K2-CHCCCC-09
- NMP1K2-#HHKHE-02
- NMP1K2-CHCCCC-12
- NMP1K2-#HHKKK-04
- NMP1K2-CHCCCK-00
- NMP1K2-CHCCEE-05
- NMP1K2-#HKCCC-09
- NMP1K2-CHCCKK-05
- NMP1K2-#HKHHE-04
- NMP1K2-CHCEEH-04