K4T1G084QJ-BCE7

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商品参数

JEDEC标准 VDD = 1.8V ± 0.1V 电源
VDDQ = 1.8V ± 0.1V
333MHz fCK 用于 667Mb/sec/pin，400MHz fCK 用于 800Mb/sec/pin，533MHz fCK 用于 1066Mb/sec/pin
8 个存储体
后置 CAS
可编程 CAS 潜伏期：3, 4, 5, 6, 7
可编程附加潜伏期：0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
写潜伏期(WL) = 读潜伏期(RL) - 1
突发长度：4, 8(交错/半字节顺序)
可编程顺序/交错突发模式
双向差分数据选通(单端数据选通是可选功能)
片外驱动器(OCD)阻抗调整
片上终端
特殊功能支持 - 50 欧姆 ODT - 高温自刷新速率启用
平均刷新周期：在 TCASE < 85°C 时为 7.8μs，在 85°C < TCASE ≤ 95°C 时为 3.9μs
支持工业温度(-40 ~ 90°C) - tREFI 在 -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C 时为 7.8μs - tREFI 在 85°C ≤ TCASE ≤ 95°C 时为 3.9μs
所有产品均为无铅、无卤且符合 RoHS 标准

(1120个/托盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个1120个/托盘

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