NTE2380
1个N沟道 耐压:500V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2380
- 商品编号
- C5816570
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE2380(N沟道)和NTE2381(P沟道)是采用TO220封装的互补型TMOS功率场效应晶体管,专为高压、高速功率开关应用而设计,如开关稳压器、转换器、螺线管和继电器驱动器。
商品特性
- 硅栅极,实现快速开关速度
- 坚固耐用 - 安全工作区受功率耗散限制
- 源极至漏极二极管特性适用于感性负载
应用领域
-开关稳压器-转换器-螺线管-继电器驱动器