NTE2394
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2394
- 商品编号
- C5816582
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,7.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小信号MOSFET
- VDS = -20 V， ID = -5.6 A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(on) < 23 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(on) < 30 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术