NTE2382
1个N沟道 耐压:100V 电流:9.2A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2382
- 商品编号
- C5816574
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTE454是一款用于VHF放大器和混频器应用的耗尽型双栅MOSFET晶体管。
商品特性
- 更低的RDS(ON)
- 增强的电感耐用性
- 快速开关时间
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 更低的输入电容
- 扩展的安全工作区
- 提高的高温可靠性