MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
- 商品编号
- C5813058
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI)1.0标准
- 单层单元(SLC)技术
- 组织架构:页大小x8:2112字节(2048 + 64字节);页大小x16:1056字(1024 + 32字);块大小:64页(128K + 4K字节);平面大小:2平面 x 每平面1024块;设备大小:2Gb:2048块
- 异步I/O性能:tRC / tWC:20纳秒(3.3V),25纳秒(1.8V)
- 阵列性能:读页:25微秒;编程页:200微秒(典型值:1.8V,3.3V);擦除块:700微秒(典型值)
- 命令集:ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集:编程页缓存模式;读页缓存模式;一次性可编程(OTP)模式;双平面命令;交错芯片(LUN)操作;读取ID;块锁定(仅1.8V);内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成和通过/失败条件的软件方法
- 写保护状态
- 就绪/忙#(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号:写保护整个设备
- 第一个块(块地址00h)在出厂时带有ECC有效
- 如果编程/擦除周期少于1000,块0需要1位ECC
- 上电后第一个命令需要RESET(FFh)
- 内部数据移动操作在读取数据的平面内支持
- 质量和可靠性:数据保持:10年;耐久性:100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围:VCC:2.7 - 3.6 V;VCC:1.7 - 1.95 V
- 工作温度:汽车工业级(AIT):-40℃ 至 +85℃;汽车级(AAT):-40℃ 至 +105℃
- 封装:48引脚TSOP类型1,CPL;63球VFBGA
- MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
- MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
- MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
- MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
- MT29F4G08ABAEAWP:E TR
- MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F
- MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
- MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G
- MTLW-120-05-G-S-110
- MTLW-120-05-G-S-130
- MTLW-120-05-H-D-185
- MTLW-120-05-L-S-165
- MTLW-120-06-F-D-150
- MTLW-120-06-G-D-023
- MT35XU01GBBA2G12-0AUT
- MTLW-120-07-F-D-200
- MT35XU256ABA2G12-0AAT
- MTLW-120-07-G-D-105
- MT5355-UV
- MT5505-BG-30
- MT57V1MH18EF-5

