MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
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- 描述
- Micron 4Gb SLC NAND Flash Memory 是一款高性能、低引脚数的存储器,支持异步数据接口。该设备使用高度复用的8位总线传输命令、地址和数据,具备内部4位ECC功能。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
- 商品编号
- C5813068
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 200us | |
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI)1.0标准
- 单级单元(SLC)技术
- 组织架构:
- x8页大小:2112字节(2048 + 64字节)
- x16页大小:1056字(1024 + 32字)
- 块大小:64页(128K + 4K字节)
- 平面大小:2个平面,每个平面2048个块
- 设备容量:4Gb为4096个块;8Gb为8192个块;16Gb为16384个块
- 异步I/O性能:
- tRC / tWC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)
- 阵列性能:
- 读取页面:25μs
- 编程页面:200μs(典型值:1.8V、3.3V)
- 擦除块:700μs(典型值)
- 命令集:ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集:
- 编程页面缓存模式4
- 读取页面缓存模式4
- 一次性可编程(OTP)模式
- 双平面命令
- 交错管芯(LUN)操作
- 读取唯一ID
- 块锁定(仅1.8V)
- 内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
- 就绪/忙(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号:对整个设备进行写保护
- 从工厂发货时,第一个块(块地址00h)带有ECC是有效的。有关最低要求的ECC,请参阅错误管理。
- 如果编程/擦除周期少于1000次,块0需要1位ECC
- 上电后第一个命令需要复位(FFh)
- 上电后设备初始化的替代方法(Nand_Init)(联系工厂)
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 质量和可靠性:
- 数据保留:10年
- 耐久性:100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围:
- VCC:2.7 - 3.6V
- VCC:1.7 - 1.95V
- 工作温度:
- 商业级:0°C ~ +70°C
- 工业级(IT):-40°C ~ +85°C
- 汽车工业级(AIT):-40°C ~ +85°C
- 汽车级(AAT):-40°C ~ +105°C
- 封装:
- 48引脚TSOP类型1,CPL²
- 63球VFBGA
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