MT57V1MH18EF-5

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT57V1MH18EF-5
商品编号: C5813098
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	18Mbit

	属性	参数值
	工作电压	2.4V~2.6V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能

商品概述

该器件采用高速、低功耗CMOS设计，使用先进的6T CMOS工艺。它集成了一个18Mb SRAM内核，带有先进的同步外围电路和一个2位突发计数器。所有同步输入都通过由输入时钟对控制的寄存器，并在时钟上升沿锁存。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低电平有效的负载和读/写信号。写数据在时钟的上升沿被寄存。如果提供了数据时钟，则读数据在数据时钟的上升沿驱动；如果未提供数据时钟，则在输入时钟的上升沿驱动。异步输入包括阻抗匹配。同步数据输出与两个回波时钟紧密匹配，这两个回波时钟可用作数据接收时钟。还提供了输出数据时钟，以实现最大的系统时钟同步和数据同步灵活性。集成了额外的写寄存器以增强流水线写周期并减少读至写的转换时间。写周期是自定时的。该器件不使用内部锁相环，因此可以进入停止时钟状态以降低功耗，而无需冗长的重启时间。四个引脚用于实现JTAG测试功能。JTAG电路用于向SRAM串行移位数据。在该测试操作模式下，JTAG输入使用标准I/O电平来移位数据。该器件可通过提供适当的参考电压用于HSTL系统。它非常适合需要通过数据倍频模式进行极快速数据传输的应用。它也适用于需要流水线CMOS SRAM的成本优势以及减少读至写转换时间的应用。该SRAM采用2.5V电源供电，所有输入和输出均与HSTL兼容。它非常适合缓存、网络、电信、DSP以及其他受益于极宽、高速数据总线的应用。

商品特性

快速周期时间
流水线、双倍数据速率操作
单一2.5V ± 0.1V电源供电
独立的隔离输出缓冲器电源
标准1.5V至1.8V (±0.1V) HSTL I/O
用户可通过VREF选择阈值
HSTL可编程阻抗输出，可与可选的双数据时钟同步
可选用的回波时钟，用于灵活的数据接收同步
JTAG边界扫描
全静态设计，降低待机功耗
时钟停止能力
共用数据输入和数据输出
低控制引脚数量
内部自定时、寄存的延迟写周期
线性突发顺序，带四拍突发计数器
13mm x 15mm，1mm间距，11 x 15网格FBGA封装
完全的数据一致性，提供最新数据

应用领域

缓存
网络
电信
DSP

数据手册PDF

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