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600R65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A

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描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A适用于电源开关和信号控制
商品型号
600R65F
商品编号
C5807884
商品封装
ITO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
1.98克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V,3.5A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)13.5nC@10V
输入电容(Ciss)557pF@25V
反向传输电容(Crss)17pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 漏源电压:VDS = 650 V(T_J = 150 ℃)
  • 低漏源导通电阻:RDS(on) = 0.6 Ω(最大值)
  • 超低栅极电荷:Q_g = 13.5 nC(典型值)
  • 符合RoHS标准的器件
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF