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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

20N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A

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描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A适用于电源开关和信号控制
商品型号
20N65F
商品编号
C5807888
商品封装
ITO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))350mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)2.978nF@25V
反向传输电容(Crss)40pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 高速开关
  • 小栅极电荷:Q_SW = 34 nC(典型值)
  • 小输出电荷:Q_oss = 98 nC(典型值)
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.75 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
  • 低漏电流: IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 45 V)
  • 增强型模式:V_th = 1.4 至 2.4 V(VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

数据手册PDF