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20N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A

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描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A适用于电源开关和信号控制
商品型号
20N65F
商品编号
C5807888
商品封装
ITO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))350mΩ@10V
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)2.978nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 650V,20A
  • RDS(ON) = 0.35Ω(典型值),@ VGS = 10V,ID = 10A
  • 快速开关
  • 改善的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • 功率因数校正(PFC)

数据手册PDF