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15N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A

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描述
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制
商品型号
15N10
商品编号
C5807889
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4576克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)765pF@25V
反向传输电容(Crss)33pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

  • 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计

商品特性

  • 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
  • 100% ▽VDS 测试

应用领域

  • 高频开关
  • 同步整流
  • 12V、24V 和 48V 汽车系统

数据手册PDF