温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSM033NB04CR RLG

1个N沟道耐压:40V 电流:21A 电流:121A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM033NB04CR RLG
商品编号: C5804463
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行了非钳位感应开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
工作结温可达175°C
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

无刷直流（BLDC）电机控制
电池电源管理
DC-DC转换器
次级同步整流

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	21A；121A
	导通电阻(RDS(on))	3.3mΩ@10V,21A
	耗散功率(Pd)	3.1W；107W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	77nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.022nF@20V
	反向传输电容(Crss)	250pF@20V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)