- 引脚图
- 焊盘图
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TSM150NB04CR RLG
TSM150NB04CR RLG
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- 商品型号
- TSM150NB04CR RLG
- 商品编号
- C5804469
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.092nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率切换
- 经过100%非钳位感应开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 工作结温可达175°C
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 无刷直流(BLDC)电机控制
- 电池电源管理
- DC-DC转换器
- 次级同步整流
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