TSM170N06PQ56 RLG
1个N沟道 耐压:60V 电流:44A
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- 商品型号
- TSM170N06PQ56 RLG
- 商品编号
- C5804471
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.556nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 逻辑电平
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行UIS和Rq测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,并符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准,无卤
应用领域
- 无刷直流(BLDC)电机控制
- 电池电源管理
- 直流-直流(DC-DC)转换器
- 次级同步整流