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MP1923GRE-Z实物图
  • MP1923GRE-Z商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MP1923GRE-Z

MP1923GRE-Z

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描述
MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET(LS - FET)和高端MOSFET(HS - FET)驱动通道可独立控制,且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下,器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定(UVLO)保护会强制输出为低电平
品牌名称
MPS(芯源)
商品型号
MP1923GRE-Z
商品编号
C5775673
商品封装
QFN-10(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)8A
拉电流(IOH)7A
属性参数值
工作电压5V~17V
上升时间(tr)7.2ns
下降时间(tf)5.5ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET(LS-FET)和高端MOSFET(HS-FET)驱动通道可独立控制,且延时匹配误差小于5ns。 在电源不足的情况下,器件的HS-FET和LS-FET欠压锁定(UVLO)保护会强制输出为低电平。MP1923还集成了自举(BST)二极管,以减少外部元件数量。 MP1923提供QFN - 10(4mmx4mm)、QFN - 8(4mmx4mm)和SOIC - 8封装。

商品特性

  • 驱动N沟道MOSFET半桥
  • 4.5V欠压锁定(UVLO)下降阈值时的低压差
  • 120V自举电压(VBST)范围
  • 片上自举二极管
  • 典型传播延迟20ns
  • 12V VDD时,灌电流8A,拉电流7A
  • 栅极驱动器匹配延时小于5ns
  • 12V VDD时,驱动1nF负载的上升时间(tRISE)为7.2ns,下降时间(tFALL)为5.5ns
  • TTL兼容输入
  • 静态电流(IQ)小于300μA
  • HS-FET和LS-FET栅极驱动器具备UVLO保护
  • 提供QFN - 10(4mmx4mm)、QFN - 8(4mmx4mm)和SOIC - 8封装

应用领域

  • 电机驱动器
  • 电信半桥电源
  • DC/DC转换器
  • 双开关正激转换器
  • 有源钳位正激转换器

数据手册PDF