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STB36NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB36NF06LT4
- 商品编号
- C5761904
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体(STMicroelectronics)独特的STripFET工艺开发,该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用
- HRG3216P-1740-B-T1
- SSW-120-21-G-D
- SSW-120-21-L-T
- HRG3216P-2000-B-T1
- SSW-120-21-S-T-LL
- STC22K33N27-26.000M
- SSW-120-22-F-D-VS-P
- HRL3024S5K0P
- SSW-120-22-FM-D-VS-P-TR
- STC22K33N38-32.000M
- SSW-120-22-G-D-VS
- HRL3024S600P
- SSW-120-22-L-D-VS-P-TR
- STC22K33N38-40.000M
- SSW-120-22-S-D-VS-K
- SSW-120-22-S-D-VS-K-TR
- SSW-120-23-G-D-RA
- HRM-100-4(40)
- SSW-121-01-T-D
- SSW-121-02-F-T
- HRM-200-040BPJBN(40)