温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STE53NC50
1个N沟道 耐压:500V 电流:53A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- PowerMESH $\mathsf{T M}_{||}$ 是第一代 MESH OVERLAY™ 的演进产品。引入的布局优化在保持器件在开关速度、栅极电荷和耐用性方面处于领先地位的同时，极大地提升了导通电阻与面积乘积（Ron*area）这一品质因数。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STE53NC50
- 商品编号
- C5762295
- 商品封装
- 螺栓安装
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 42.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 434nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
PowerMESH™ II 是第一代 MESH OVERLAY™ 的升级版。引入的布局优化大幅提升了导通电阻与面积乘积（Ron*area）这一品质因数，同时使该器件在开关速度、栅极电荷和耐用性方面保持领先。
商品特性
- 典型 RDS(on) = 0.07 Ω
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 全新高压基准
- 最小化栅极电荷
应用领域
- 大电流、高速开关
- 开关模式电源(SMPS)
- 用于焊接设备、不间断电源和电机驱动器的直流 - 交流转换器