STH290N4F6-6AG

本文档介绍了功率MOSFET的Spice模型版本，旨在帮助用户选择适合自身目标的模型。它解释了不同模型版本在静态、动态特性及仿真性能方面的特点，以在计算时间和精度之间找到合适的平衡。例如，自热模型（V3版本）可准确复现所有电参数的热响应，但需要较大的仿真工作量。Spice模型描述典型器件的特性，不保证产品规格和工作特性的表现；datasheet是提供产品规格的文档。尽管仿真是评估器件性能的重要工具，但无法预测器件在所有情况下的精确行为，因此最终实验室测试是必要的。

• V1C版本：基础模型（LEVEL=3），通过电容分布表对Coss和Crss进行建模，为经验模型，假设温度恒定为27℃。
• V1T版本：源自V1C版本，通过热等效网络包含封装热建模，具有两个额外的外部热节点Tj和Tcase，无功率MOSFET温度与内部参数之间的动态链接。
• V2版本：比V1C更先进，考虑了温度依赖性和电容分布，允许用户在固定温度下复现静态和动态行为，无法模拟自热效应。
• V3版本：源自V2版本，通过热等效网络包含封装热模型，具有两个额外的外部热节点Tj和Tcase。在每个瞬态过程中，计算当前功耗并将与该功率成比例的电流输入热网络；Tj节点的电压包含结温信息，该信息会改变器件内部参数。Tj通常不连接（为避免警告信息，需添加浮动导线），Tcase必须连接到代表环境温度的恒定电压源或由自身热网络建模的散热器。
• V4版本：源自V3版本（器件处于自由空气环境），通过热等效网络包含封装热模型，具有三个额外的外部热节点Tj、Tcase和Tamb。Tj和Tcase节点的电压包含结温和壳温信息，这些信息会改变器件内部参数。Tj和Tcase通常不连接（为避免警告信息，需添加浮动导线），Tamb必须连接到代表环境温度的恒定电压源。
• TN版本：仅包含代表封装热模型的RC热网络，其符号具有两个引脚：Tj和Tcase。

• 仿真步骤：在Spice仿真器中，上传器件符号（.OLB文件）和Spice模型（.LIB文件）以在schematic中仿真晶体管。
• 安装：将.lib文件包含在仿真配置文件中（添加到设计），并将.olb符号包含在schematic中（添加库）。
• 推荐的仿真收敛参数：ABSTOL=1nA（电流精度）、CHGTOL=1pC..10pC（电荷精度）、ITL1=150（直流和偏置“盲”迭代限制）、ITL2=20...150（直流和偏置“猜测”迭代限制）。