S25FL512SAGBHVD13

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25FL512SAGBHVD13
商品编号: C5745927
商品封装: BGA-24(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	750us
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品概述

英飞凌S25FL512S器件是一款采用MIRRORBIT技术的闪存非易失性存储器产品，该技术可在每个存储器阵列晶体管中存储两个数据位。其Eclipse架构显著提升了编程和擦除性能，并采用65纳米工艺制程。该器件通过SPI接口连接到主机系统，支持传统的SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特（四I/O或QIO）串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。

商品特性

CMOS 3.0 V核心，支持多功能I/O
支持SPI及多I/O
密度为512 Mb (64 MB)
支持SPI时钟极性与相位模式0和3
支持DDR选项
扩展寻址：32位地址
串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
多I/O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
读取命令：支持常规、快速、双路、四路、快速DDR、双路DDR、四路DDR
自动启动：上电或复位后，在预选地址自动执行常规或四路读取命令
提供用于配置信息的通用闪存接口数据
编程速率1.5 MBps
512字节页编程缓冲区
四输入页编程，适用于低速时钟系统
自动ECC：内部硬件纠错码生成，支持单比特错误纠正
擦除速率0.5至0.65 MBps
统一的256 KB扇区
循环耐久性：最低100,000次编程-擦除周期
数据保持：最低20年
安全特性：1024字节一次性可编程阵列
块保护：状态寄存器位控制对连续扇区范围进行编程或擦除的保护，提供硬件和软件控制选项
高级扇区保护
通过引导代码或密码控制单个扇区保护
采用英飞凌65纳米MIRRORBIT技术及Eclipse架构
核心电源电压：2.7 V至3.6 V
I/O电源电压：1.65 V至3.6 V
提供SO16和FBGA封装
温度范围：工业级-40℃至+85℃；工业增强级-40℃至+105℃；汽车级，AEC-Q100 Grade 3 -40℃至+85℃；汽车级，AEC-Q100 Grade 2 -40℃至+105℃；汽车级，AEC-Q100 Grade 1 -40℃至+125℃
封装（全部无铅）：16引脚SOIC (300 mil)；24球BGA (6×8 mm)
提供5×5球和4×6球封装选项
提供已知合格芯片和已知测试芯片

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V