S25FS064SAGBHM023

64 Mb（8 MB）FS-S 闪存，采用串行外设接口（SPI）与多路输入/输出（Multi-I/O），工作电压为 1.8 V。该器件支持 SPI 时钟极性及相位模式 0 和 3，提供双倍数据速率（DDR）选项，并支持 24 位或 32 位扩展寻址。其串行命令子集与封装兼容 S25FL1-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列产品，多路 I/O 命令子集与封装亦兼容 S25FL1-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。该闪存提供多种读取命令（常规、快速、双路输出、双路 I/O、四路输出、四路 I/O、DDR 四路 I/O）和模式（突发回环、连续执行、QPI）。它包含串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于提供配置信息。编程方面，具备 256 或 512 字节页编程缓冲区，支持编程挂起与恢复，并集成了自动 ECC（内部硬件纠错码）生成，可纠正单比特错误。擦除功能提供混合扇区选项（在地址空间顶部或底部包含一组八个 4 KB 扇区和一个 32 KB 扇区，其余均为 64 KB 扇区）和统一扇区选项（统一的 64 KB 或 256 KB 块，以兼容更高密度及未来器件），支持擦除挂起与恢复以及擦除状态评估。其耐久性最低为 100,000 次编程-擦除循环，数据保持期最低为 20 年。安全特性包括一个 1024 字节的一次性可编程（OTP）阵列、通过状态寄存器位控制连续扇区范围编程或擦除保护的块保护功能（支持硬件和软件控制选项），以及高级扇区保护（ASP），后者支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护，并可选择通过密码控制读取访问。该器件采用 65 nm MIRRORBIT 技术与 ECLIPSE 架构，采用单电源电压供电和 CMOS I/O，电压范围为 1.7 V 至 2.0 V。提供多种工业级和汽车级温度范围选项，以及多种无铅封装。

• 支持多路输入/输出（Multi-I/O）的串行外设接口（SPI）
• SPI 时钟极性及相位模式 0 和 3
• 双倍数据速率（DDR）选项
• 扩展寻址：24 位或 32 位地址选项
• 串行命令子集与封装兼容 S25FL1-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列
• 多路 I/O 命令子集与封装兼容 S25FL1-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列
• 读取命令：常规、快速、双路输出、双路 I/O、四路输出、四路 I/O、DDR 四路 I/O
• 读取模式：突发回环、连续执行、QPI
• 包含串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于提供配置信息
• 256 或 512 字节页编程缓冲区
• 支持编程挂起与恢复
• 自动 ECC（内部硬件纠错码）生成，可纠正单比特错误
• 混合扇区选项
• 物理扇区组：在地址空间顶部或底部包含八个 4 KB 扇区和一个 32 KB 扇区，其余均为 64 KB 扇区
• 统一扇区选项：统一的 64 KB 或 256 KB 块，以兼容更高密度及未来器件
• 支持擦除挂起与恢复
• 支持擦除状态评估
• 最低 100,000 次编程-擦除循环耐久性
• 最低 20 年数据保持期
• 1024 字节一次性可编程（OTP）阵列
• 块保护：通过状态寄存器位控制连续扇区范围编程或擦除保护，支持硬件和软件控制选项
• 高级扇区保护（ASP）：支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护，可选择通过密码控制读取访问
• 采用 65 nm MIRRORBIT 技术与 ECLIPSE 架构
• 单电源电压供电，CMOS I/O
• 工作电压范围：1.7 V 至 2.0 V
• 工业级温度范围：-40℃ 至 +85℃
• 工业增强级温度范围：-40℃ 至 +105℃
• 扩展温度范围：-40℃ 至 +125℃
• 汽车级，AEC-Q100 3 级：-40℃ 至 +85℃
• 汽车级，AEC-Q100 2 级：-40℃ 至 +105℃
• 汽车级，AEC-Q100 1 级：-40℃ 至 +125℃
• 无铅封装：8 引脚 SOIC 208 mil (SOC008)、LGA 5×6 mm (W9A008)、BGA-24 6×8 mm、5×5 焊球 (FAB024) 封装