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PJMD360N60EC_L2_00001
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJMD360N60EC_L2_00001
- 商品编号
- C5709283
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 735pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SOP-8 封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。
商品特性
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 互补半桥
- 表面贴装
- 全雪崩额定
- 无铅
- VDS(V) = 30
- RDS(ON) < 29 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 46 mΩ (VGS = 4.5 V)
- VDS(V) = -30 V
- RDS(ON) < 58 Ω (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 98 mΩ (VGS = -4.5 V)
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