PJT7413_S1_00001
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7413_S1_00001
- 商品编号
- C5709369
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 522pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -2.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<85mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -1.8A 时,导通电阻(RDS(ON))<115mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏极电流(ID)为 -1.3A 时,导通电阻(RDS(ON))<150mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -1.5V、漏极电流(ID)为 -0.5A 时,导通电阻(RDS(ON))<250mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM 应用等特殊设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物
应用领域
- 适配器-液晶和等离子电视-照明