我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
PJW4N06A-AU_R2_000A1实物图
  • PJW4N06A-AU_R2_000A1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJW4N06A-AU_R2_000A1

1个N沟道 耐压:60V 电流:4A

品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJW4N06A-AU_R2_000A1
商品编号
C5709377
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V,3A
属性参数值
耗散功率(Pd)2.6W
阈值电压(Vgs(th))1.86V
栅极电荷量(Qg)5.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)509pF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为 - 10 V,漏极电流ID为 - 8 A时,小于20 mΩ
  • 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为 - 4.5 V,漏极电流ID为 - 6 A时,小于32 mΩ
  • 开关速度快
  • 改善了dv/dt能力
  • 栅极电荷低
  • 反向传输电容低
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
  • 符合IEC 61249标准的绿色模塑料

数据手册PDF