- 引脚图
- 焊盘图
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NTE199
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 400 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 30nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 125mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
NTE199是一款采用TO92封装的硅NPN晶体管，专为低噪声前置放大器和小信号工业放大器应用而设计。该器件具有低集电极饱和电压、精确的β值控制和出色的低噪声特性。 集电极 - 发射极电压VCEO为50V 集电极 - 基极电压VCBO为70V 发射极 - 基极电压VEBO为5V 稳态集电极电流（注1）Ic为100mA 总功耗（TA = +25°C）PT为360mW 25°C以上降额为3.3mW/°C 总功耗（TA = +55°C）PT为260mW 25°C以上降额为3.3mW/°C 工作结温范围Td为 - 55°C到 + 125°C 储存温度范围TStg为 - 55°C到 + 150°C 引脚温度（焊接时，距外壳1/16英寸，最长10秒）TL为 + 260°C