CY15B256Q-SXET

CY15B256Q是一款采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15B256Q以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。CY15B256Q能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1亿倍。这些特性使CY15B256Q非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据记录（写循环次数可能至关重要）以及对串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。CY15B256Q作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品版本。设备规格在-40°C至+85°C的汽车级温度范围内得到保证。

• 256 Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为32 K × 8
• 高耐久性，100万亿（10¹⁴）次读写
• 151年数据保留（参见数据保留和耐久性表）
• NoDelay™写入
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 非常快速的串行外围接口（SPI）
• 高达40 MHz频率
• 可直接硬件替代串行闪存和EEPROM
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁止指令进行软件保护
• 软件块保护，可保护1/4、1/2或整个阵列
• 设备ID
• 制造商ID和产品ID
• 低功耗
• 40 MHz时2.5 mA工作电流
• 150 μA待机电流
• 8 μA睡眠模式电流
• 低电压操作：VDD = 2.0 V至3.6 V
• 汽车级A温度范围：-40°C至+85°C
• 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准

• 数据记录
• 工业控制