CY15V116QSN-108BKXI
CY15V116QSN-108BKXI
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY15V116QSN-108BKXI
- 商品编号
- C5651586
- 商品封装
- FBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
EXCELON Ultra CY15x116QSN 是一款采用先进铁电工艺的 16Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,其读写操作类似于 RAM。它在提供可靠数据保留的同时,消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同,CY15x116QSN 以总线速度执行写操作,没有写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列,无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外,该产品相比其他非易失性存储器具有更高的写入耐久性。CY15x116QSN 支持极高的读写周期次数。这些特性使其适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。CY15x116QSN 将 16Mb F-RAM 与高速四线 SPI 接口相结合,增强了铁电存储技术的非易失性写入能力。该器件包含只读器件标识和标识功能,允许 SPI 总线主控制器确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的标识。该器件还提供一个只读的序列号,可用于识别电路板或系统。该器件支持片上纠错码逻辑,可以检测并纠正每 8 字节单元数据中的 2 位错误。该器件还扩展了报告 8 字节单元数据中 3 位错误的能力。CY15x116QSN 还支持循环冗余校验功能,可用于检查存储阵列中数据的完整性。
商品特性
- 16Mb 铁电随机存取存储器,逻辑组织为 2048K × 8
- 极高的读写周期耐久性
- 数据保留时间长
- 即时非易失性写入技术
- 高可靠性铁电工艺
- 单线及多线串行外设接口
- 支持串行总线接口 SPI 协议
- 支持 SPI 模式 0 和模式 3 用于所有单数据率模式传输
- 支持 SPI 模式 0 用于所有双数据率模式传输
- 支持扩展输入输出 SPI 协议
- 支持双线 SPI 协议
- 支持四线 SPI 协议
- SPI 时钟频率高达 108 MHz
- 支持执行就地读取写入
- 通过写保护引脚实现硬件保护
- 软件块保护
- 嵌入式纠错码和循环冗余校验以增强数据完整性
- 纠错码可检测并纠正 2 位错误,若发生 3 位错误则报告但不纠正
- 循环冗余校验可检测原始数据的任何意外更改
- 扩展的电子签名,包括器件标识和标识
- 用户可编程序列号
- 专用的 256 字节特殊扇区
- 专用特殊扇区写入和读取
- 内容可承受多次标准回流焊循环
- 高速下的低功耗,工作电流典型值低,待机电流典型值低,深度掉电模式电流典型值低,休眠模式电流典型值极低
- 低电压操作,支持不同的供电电压范围
- 工作温度范围为 -40°C 至 +85°C
- 采用 24 球细间距球栅阵列封装
- 符合有害物质限制规定
应用领域
- 数据收集
- 工业控制
- CXA1304-0000-000N00C450F
- CXA3070-0000-000NT0AD50F
- CY22801SXC-030T
- CY25404ZXI243
- CXA1304-0000-000N00D250F
- CXA3070-0000-000NT0BB40F
- CY62157G18-55BVXIT
- CXA1304-0000-000N0HA440F
- CXA3070-0000-000NT0Y227H
- CY7C144E-25AXC
- CXA1304-0000-000N0HB20E2
- CXA3070-0000-000NT0Y427G
- CXA1304-0000-000N0HB20E3
- CXA3070-0000-000NT0Z427G
- CY7C2663KV18-550BZXI
- CXA1304-0000-000N0HB465F
- CXA3070-0000-000NT0Z435H
- CY7C4142KV13-106FCXC
- CXA1304-0000-000N0HC20E3
- CXA3070-0000-000NT0Z457F
- CXA1304-0000-000N0HC450H

