CY15V102QN-50PZXI

EXCELON™ LP CY15X102QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗2Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X102QN以总线速度执行写操作，无写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性，能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM的写循环次数多100亿倍。这些特性使CY15X102QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据收集（写循环次数可能至关重要）和要求苛刻的工业控制（串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。CY15X102QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来显著益处。它使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，允许主机确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，它还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

• 2Mb铁电随机存取存储器，逻辑组织为256K×8
• 近乎无限的读写耐久性，达1000万亿次读写周期
• 151年数据保留
• 即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速SPI接口，频率最高达50 MHz
• 支持SPI模式0和模式3
• 复杂的写保护方案，包括硬件写保护引脚和软件写禁用指令
• 软件块保护功能，可保护四分之一、二分之一或整个存储阵列
• 器件标识和序列号，包含制造商ID、产品ID和ID
• 专用的256字节特殊扇区，可承受最多三次标准回流焊循环
• 低功耗，典型工作电流2.4 mA，待机电流2.3 µA，深度掉电模式电流0.70 µA，休眠模式电流0.1 µA
• 低压工作，支持1.71 V至1.89 V或1.8 V至3.6 V的供电电压
• 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
• 提供8引脚SOIC、8引脚薄型DFN和8引脚PDIP封装
• 符合有害物质限制指令要求

• 数据收集
• 工业控制