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SL11N65CD
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL11N65CD
- 商品编号
- C5632289
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 318mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这些N沟道增强型VDMOS场效应晶体管采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量，符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 6.5A条件下，RDS(ON) < 0.48 Ω
- 快速开关能力
- 100%经过雪崩测试
- 100%经过△Vds测试
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