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SL15N65CD
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用了斯阔微电子（Slkor）先进的超结MOSFET技术制造。这项先进技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL15N65CD
- 商品编号
- C5632290
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。产品符合RoHS标准。
商品特性
- 15A、650V,VGS = 10V时,RDS(on)典型值 = 0.28Ω
- 低栅极电荷(典型值19.6nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 经过100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力