- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLC9G21LS-60AVY
BLC9G21LS-60AVY
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLC9G21LS-60AVY
- 商品编号
- C5597986
- 商品封装
- DFM6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
适用于1805 MHz至2200 MHz频率基站应用的60 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,具备出色的热稳定性
- 非对称设计,可在整个频段实现最佳效率
- 较低的输出电容,可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计,可实现出色的数字预失真
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
适用于1805 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
- BLF13H9L750PU
- BLF8G20LS-230VJ
- BLF8G27LS-150GVQ
- CLT-106-02-G-D-BE-A-K
- CLP-108-02-F-D-A-TR
- BLE32SN120BN1L
- CLT-106-02-G-D-TR
- BLE32SN120SN1L
- CLP-108-02-F-D-BE-P
- BMMA00131335R47MX1
- CLT-106-02-LM-D-A
- CLP-108-02-FM-D-A-P
- CLT-106-02-SM-D-BE-A
- BMMA00131335R56MX1
- CLP-108-02-G-D-A-K
- CLT-107-02-F-D-A-TR
- BMMA00131335R82MV1
- CLT-107-02-F-D-BE-K-TR
- CLP-108-02-G-D-BE-A-P
- CLT-107-02-G-D-BE-A-TR
- BMMA001313503R3MX2