商品参数
参数完善中
商品概述
采用SOT539推挽封装的750 W LDMOS功率晶体管,适用于1.3 GHz频率的加速器应用。
商品特性
-高效率-出色的耐用性-出色的热稳定性-易于功率控制-集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离-脉冲格式灵活性高-内部匹配,使用方便
应用领域
1.3 GHz频率的加速器应用
参数完善中
采用SOT539推挽封装的750 W LDMOS功率晶体管,适用于1.3 GHz频率的加速器应用。
-高效率-出色的耐用性-出色的热稳定性-易于功率控制-集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离-脉冲格式灵活性高-内部匹配,使用方便
1.3 GHz频率的加速器应用