- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 11V |
商品概述
采用SOT539推挽封装的750 W LDMOS功率晶体管,适用于1.3 GHz频率的加速器应用。
商品特性
-高效率-出色的耐用性-出色的热稳定性-易于功率控制-集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离-脉冲格式灵活性高-内部匹配,使用方便
应用领域
1.3 GHz频率的加速器应用
- BLF8G20LS-230VJ
- BLF8G27LS-150GVQ
- BMMA00131335R47MX1
- CLT-106-02-LM-D-A
- CLP-108-02-FM-D-A-P
- CLT-106-02-SM-D-BE-A
- BMMA00131335R56MX1
- CLP-108-02-G-D-A-K
- CLT-107-02-F-D-A-TR
- BMMA00131335R82MV1
- CLT-107-02-F-D-BE-K-TR
- CLP-108-02-G-D-BE-A-P
- CLT-107-02-G-D-BE-A-TR
- BMMA001313503R3MX2
- CLT-107-02-LM-D-A-K-TR
- CLP-108-02-LM-D-PA
- BMMA001717702R2MV1
- CLT-107-02-S-D-BE-A
- CLP-108-02-LTL-D-A-K-TR
- CLT-107-02-S-D-K-TR
- BMME00060618R15MX1