BLS9G2729LS-350U

碳化硅 (SiC) 是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率（>650V）应用的理想技术。与硅 MOSFET 和 IGBT 解决方案相比，SiC MOSFET 和 SiC 肖特基势垒二极管产品线可提高系统效率，同时通过实现系统小型化以及采用更小/成本更低的散热方案来降低总体拥有成本。 超快、低栅极电荷的 MOSFET 系列将业内最低的栅极电荷与 Microchip 专有的自对准铝金属栅极结构相结合。其结果是，该 MOSFET 能够实现极快的开关速度和极低的开关损耗。这些芯片的金属栅极结构和布局提供的内部串联栅极电阻 (EGR) 比采用多晶硅栅极的竞争器件低一个数量级。这些器件非常适合高频和脉冲高压应用。

• RDSon 随温度变化的稳定性
• 高雪崩性能 - 非钳位感性开关 (UIS) 和重复 UIS
• 长短路耐受时间
• 内部体二极管无寿命衰减
• 衬底和外延材料有多个合格来源
• 具备双重制造能力
• 无产品停产政策
• 具有竞争力的交货周期
• 广泛的功率开关产品组合 - 分立器件、裸片和模块
• Microchip 的全面系统解决方案 (TSS) - 功率级、栅极驱动器和控制解决方案
• 在、工业和汽车领域拥有专业知识和支持体系
• 串联栅极电阻 (RG) < 0.1 Ω
• 上升时间 (TR) 和下降时间 (TF) < 10 ns
• 业内最低的栅极电荷

• 交通运输/汽车：电动汽车 (EV)：电池充电器、混合动力汽车 (HEV) 动力系统、DC-DC 转换器、能量回收
• 数据中心：不间断电源 (UPS)、电源分配单元 (PDU)、电源 (PSU)（功率因数校正 (PFC)/ LLC 谐振转换器）
• 工业：感应加热、电机驱动器、开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、焊接
• 智能能源：储能、光伏 (PV) 逆变器、风力（涡轮机）
• 医疗：磁共振成像 (MRI) 电源、X 射线电源
• 高达 2 MHz 的 D 类放大器
• 高压脉冲直流
• 调幅 (AM) 发射机
• 等离子体沉积/蚀刻