BLF7G24LS-100,118

功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联性能，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻(Rth),提供出色的热稳定性
• 低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成静电放电(ESD)保护
• 符合《关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》(RoHS)2002/95/EC

• 适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器