BLS6G3135-120,112

AOT27S60L、AOB27S60L、AOTF27S60L和AOTF27S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在在开关应用中实现高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容电能（EOSS），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

• 在频率3.1 GHz至3.5 GHz、电源电压32 V、静态漏极电流(IDq)100 mA、脉冲宽度(tp)高达300 μs、占空比(δ)10%的典型脉冲射频性能:输出功率 = 120 W,增益 = 11 dB,效率 = 43 %
• 易于功率控制
• 集成ESD保护
• 出色的耐用性
• 高效率
• 出色的热稳定性
• 专为宽带操作设计(3.1 GHz至3.5 GHz)
• 内部匹配,使用方便
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 适用于3.1 GHz至3.5 GHz频段雷达应用的S波段功率放大器