BLF8G24LS-150GVQ

AOT254L/AOB254L采用了沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(on)、Ciss和Coss组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻,提供出色的热稳定性
• 去耦功能可改善视频带宽(典型值70 MHz)
• 较低的输出电容,可提高Doherty应用中的性能
• 低记忆效应设计,提供出色的数字预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成ESD保护
• 鸥翼式优化设计
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器