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AGM318MBP
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- AGM318MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM318MBP
- 商品编号
- C5464771
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 333pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
商品概述
AGM308MN将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON),以最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100%漏源极电压测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动器