温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM40P35A-KU
1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM40P35A-KU 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P35A-KU
- 商品编号
- C5464783
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 149pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AGM40P35A-KU将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器