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AGM30P08A
1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- AGM30P08A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P08A
- 商品编号
- C5464773
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.497nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 300 V，漏极电流（ID） = 140 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 35 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻（Rdson）
- 栅极电荷低
- 改善了电压变化率（dv/dt）能力
- 符合 RoHS 标准的产品
- TO - 264 封装
应用领域
- 功率开关应用
- 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器
- DC/DC 转换器中的同步整流