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NVMFS6H864NT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:23A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 可选择可焊侧翼封装，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS6H864NT1G
- 商品编号
- C604627
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.9mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- NVMFS6H864NWF - 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证，支持生产件批准程序（PPAP）
- 这些器件无铅，符合RoHS标准
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