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NVMTS0D6N04CTXG
1个N沟道 耐压:40V 电流:533A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS0D6N04CTXG
- 商品编号
- C604629
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 533A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 187nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 199pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 可焊侧翼镀覆,便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
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