NVMFS5C612NLAFT1G
单 N 沟道,功率 MOSFET,60V,235A,1.5mΩ
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描述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,适用于汽车应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NVMFS5C612NLAFT1G商品编号
C604607商品封装
DFN-5(5.9x4.9)包装方式
编带
商品毛重
0.157克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 250A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.36mΩ@10V,250A | |
功率(Pd) | 167W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 91nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 6.66nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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