NCP1366BABAYDR2G

NCP1361/66为通用市电反激式应用提供了一种新的解决方案，适用于几瓦至20 W的输出功率水平。由于采用了一种新方法，这款新型控制器可实现初级侧恒流控制，节省了用于电流调节的次级侧元件。 NCP1361/66在标称负载下以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制方式运行，以实现高效率。当次级侧功率开始降低时，开关频率自然升高，直到压控振荡器（VCO）起主导作用，使MOSFET在漏源电压谷底导通。通过逐步进入连续的谷底，频率随之降低，直至达到第4个谷底。超过这一点后，在谷底开关模式下频率线性降低，直至达到最小值。前四个漏源电压谷底期间的谷底锁定可防止出现不稳定的离散跳变，并在轻载情况下实现良好的效率。

• ±10%电流调节
• 560 V启动电流源
• 无频率钳位，提供80或110 kHz最大开关频率选项
• 具有谷底开关操作的准谐振运行
• 固定峰值电流和轻载运行时的深度频率折返
• 外部恒压反馈调节
• 逐周期峰值电流限制
• 内置软启动
• 输出过压和欠压保护
• 宽VCC工作范围（最高28 V）
• NCP1361的低启动电流（典型值2.5 μA）
• 用于MOSFET的钳位栅极驱动输出
• CS和Vs/ZCD引脚短路和开路保护
• 内部温度关断
• NCP1366版本在高线电压下的空载功耗低于30 mW
• 这些是无铅器件

• 用于充电器的低功率AC-DC适配器
• 用于手机、平板电脑和相机的AC-DC USB充电器